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発表年月 |
タイトル |
講演者 |
共著者 |
講演会名 |
備考 |
| 00-01 |
2000年3月 |
SIMOXウェハーにおける高温熱処理過程のPL評価（Ⅱ） |
滝口 |
小椋、溝口、井深、田島 |
応用物理学会 春季応用物理学関係連合講演会 |
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| 00-02 |
2000年6月 |
紫外光励起フォトルミネセンスによるSOIウエハーの評価 |
井深 |
田島、小椋 |
日本学術振興会145委員会研究会 |
招待講演 |
| 00-03 |
2000年9月 |
低速陽電子によるＳＯＩの評価（Ⅰ） －ＳＩＭＯＸプロセス |
上殿 |
谷川、小椋、小野、鈴木、大平、三角 |
応用物理学会秋季学術講演会 |
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| 00-04 |
2000年9月 |
ＭＯＣＶＤＯＣＶＤ法によるＴａＮ膜の堆積 |
星野 |
日色、町田、小椋、大下 |
応用物理学会秋季学術講演会 |
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| 00-05 |
2000年9月 |
励起光の侵入長を変化させたＰＬによるＳＯＩウェハーの評価 |
滝口 |
小椋、熊藪、井深、田島 |
応用物理学会秋季学術講演会 |
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| 00-06 |
2000年9月 |
低速陽電子によるＳＯＩの評価（Ⅱ） －基板間比較 |
小椋 |
上殿、谷川 |
応用物理学会秋季学術講演会 |
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| 01-01 |
2001年3月 |
X線回折法によるSIMOXのBOX形成過程野評価 |
細井 |
福田、志村、梅野、小椋 |
応用物理学会 春季応用物理学関係連合講演会 |
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| 01-02 |
2001年3月 |
MOCVD法によるＨｆＯ2膜の堆積（Ⅰ） |
鈴木 |
星野、町田、小椋、大下 |
応用物理学会 春季応用物理学関係連合講演会 |
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| 01-03 |
2001年3月 |
MOCVD法によるＨｆＯ2膜の堆積（Ⅱ） |
星野 |
鈴木、町田、忍田、小椋、大下 |
応用物理学会 春季応用物理学関係連合講演会 |
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| 01-04 |
2001年4月 |
ＰＬおよび陽電子消滅による欠陥評価 |
小椋 |
田島、上殿 |
応用物理学会結晶工学分科会第１１３回研究会 |
招待講演 |
| 01-05 |
2001年6月 |
ＭＯＣＶＤ法によるＨｆＯ２膜の堆積 |
星野 |
鈴木、町田、小椋、大下 |
半導体・集積回路技術シンポジュウム |
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| 01-06 |
2001年9月 |
MOCVDによるＨｆＯ２膜の堆積 －シリケート成膜 |
町田 |
石川、星野、小椋、大下 |
応用物理学会秋季学術講演会 |
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| 01-07 |
2001年9月 |
X線回折法によるnovel SIMOXのBOX層の構造評価 |
志村 |
細井、福田、梅野、小椋 |
応用物理学会秋季学術講演会 |
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| 01-08 |
2001年10月 |
陽電子消滅によるＳＯＩ（Si-on-insulator）基板の評価 |
上殿 |
小椋、Chen、大平、鈴木、三角 |
京都大学原子炉実験所専門研究会「陽電子ビームの形成と理工学への応用」 |
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| 02-01 |
2002年3月 |
低速陽電子ビームによるSOIウエハーの欠陥と水素の相互作用の研究 |
上殿 |
Chen、小椋、大平、鈴木、三角 |
応用物理学会 春季応用物理学関係連合講演会 |
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| 02-02 |
2002年9月 |
軽元素注入法による部分ＳＯＩ／ＳＯＮの形成 |
小椋 |
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応用物理学会秋季学術講演会 |
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| 02-03 |
2002年9月 |
Hf1-xSixO2成膜のためのCVD用Si原料 |
加田 |
石川、町田、小椋、大下 |
応用物理学会秋季学術講演会 |
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| 02-04 |
2002年9月 |
せり上げ素子分離を用いたボディーコンタクト構造をもつ薄膜ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ |
山上 |
黄、若林、李、斎藤、小椋、成広、新井、武村、山本、落合、最上 |
応用物理学会秋季学術講演会 |
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| 02-05 |
2002年 |
有機金属原料を用いたハフニウムシリケート薄膜ＣＶＤ |
大下 |
石川、加田、町田、小椋 |
化学化工業会シンポジウム２００２ |
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| 03-01 |
2003年3月 |
「基板浮遊効果を抑制したゲート長60nm薄膜SOI-MOSFET |
山上 |
黄、若林、李、斎藤、小椋、成広、新井、武村、竹内、落合、最上 |
応用物理学会 春季応用物理学関係連合講演会 |
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| 03-02 |
2003年3月 |
レーザーコンフォーカル検査システムを用いた市販超薄膜ＳＯＩ基板の評価 |
小椋 |
岡林 |
春季応用物理学関係連合講演会 |
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| 03-03 |
2003年5月 |
先端デバイス開発動向とＳＯＩ基板への期待 |
小椋 |
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結晶成長学会 バルク分科会研究会 |
招待講演 |
| 03-04 |
2003年8月 |
低速陽電子ビームによるpoly-Si/HfSiOx/Si構造の空孔型欠陥の検出 |
上殿 |
服部、小椋、工藤、西川、大平、鈴木、三角 |
応用物理学会秋季学術講演会 |
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| 03-05 |
2003年8月 |
MOCVD法によるNiSi（Ⅰ）―原料 |
加田 |
石川、大平、町田、小椋、大下 |
応用物理学会秋季学術講演会 |
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| 03-06 |
2003年8月 |
MOCVD法によるNiSi（Ⅱ）―成膜 |
石川 |
加田、町田、小椋、大下 |
応用物理学会秋季学術講演会 |
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| 03-07 |
2003年8月 |
Nonuniformity of SOI Wafers Manifested by Photoluminescence and Lifetime Mapping |
李 |
田島、住江、橋爪、小椋 |
応用物理学会秋季学術講演会 |
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| 03-08 |
2003年12月 |
陽電子消滅による金属酸化物の欠陥の解析 |
上殿 |
服部、小椋、工藤、西川、大平、鈴木、三角 |
第3回インテリジェント・ナノプロセス研究会 |
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| 03-09 |
2003年12月 |
低速陽電子ビームによるHigh-kをゲート絶縁膜として用いたMOSの評価 |
上殿 |
服部、小椋、工藤、西川、大平、鈴木、三角 |
京都大学原子炉実験所専門研究会 |
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| 03-10 |
2003年12月 |
陽電子消滅による金属酸化物の欠陥の解析 |
上殿 |
服部、小椋、工藤、西川、大平、鈴木、三角 |
第3回インテリジェント・ナノプロセス研究会 |
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| 03-11 |
2003年12月 |
低速陽電子ビームによるHigh-kをゲート絶縁膜として用いたMOSの評価 |
上殿 |
服部、小椋、工藤、西川、大平、鈴木、三角 |
京都大学原子炉実験所専門研究会 |
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| 03-12 |
2003年 |
LSI開発の現状と今後の課題 |
小椋 |
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Spring-8 講習会 |
招待講演 |
| 03-13 |
2003年 |
市販ＳＯＩ基板中欠陥の分布および構造解析 |
小椋 |
岡林 |
日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145委員会 第 97回研究会 |
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