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発表年月 |
タイトル |
講演者 |
共著者 |
講演会名 |
備考 |
08-01 |
2008年1月 |
パターン依存酸化による歪シリコンナノワイヤトランジスタの相互コンダクタンス向上評価 |
清家 |
丹下 智之, 佐野 一拓, 杉浦 裕樹, 土田 育新, 小瀬村 大輔, 小椋 厚志, 大泊 巌 |
ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」 第13回研究会 |
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08-02 |
2008年2月 |
SiN 膜により導入された歪の熱処理特性評価 |
斎藤 博之 |
小椋 厚志 |
2007A期 SPring-8 重点産業利用課題成果報告会 |
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08-03 |
2008年3月 |
放射光X 線トポグラフィによる歪みSi ウェーハの評価 |
志村考功 |
井上智之,岡本佑樹,細井卓治,小椋厚志,江戸太樹,飯田 敏,渡部平司 |
春季応用物理学関係連合講演会 シンポジウム:シリコン系材料・プロセス評価の最前線−放射光利用による新展開 |
招待講演 |
08-04 |
2008年3月 |
熱処理による極薄膜SiGe層の挙動 (2) |
山本 有 |
上林 弘和, 今井 正人, 宮村 佳児, 表 和彦, 小林 峰, 小椋 厚志 |
春季応用物理学関係連合講演会 |
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08-05 |
2008年3月 |
SiN膜により導入された歪の熱処理特性の評価 |
斉藤 博之 |
小瀬村 大亮 、掛村 康人 、吉田 哲也 、武井 宗久 、小椋 厚志 、小金沢 智之 、広沢 一郎 、鴻野 真之 、西田 辰夫 、中西 敏雄 |
春季応用物理学関係連合講演会 |
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08-06 |
2008年3月 |
UVラマン分光法によるB2H6/Heプラズマドーピングで形成した極浅接合領域の結晶性の評価 |
吉田 哲也 |
渡邉 将光、中川 恭成、小瀬村 大亮、掛村 康人、角嶋 邦之、水野 文二、筒井 一生、服部 健雄、岩井 洋、小椋 厚志 |
春季応用物理学関係連合講演会 |
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08-07 |
2008年3月 |
UV/可視ラマン分光法によるP dope LTPS薄膜の電気伝導度と結晶性の関係評価 |
掛村 康人 |
小瀬村 大亮,小椋 厚志, 野口 隆 |
春季応用物理学関係連合講演会 |
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08-08 |
2008年3月 |
スパッタによるTiNゲートプレーナMOSFETとFinFET電気特性の比較評価 |
林田哲郎 |
柳永、松川貴、遠藤和彦、大内真一、坂本邦博、昌原明植、石井賢一、塚田順一、石川由紀、山内洋美、小椋厚志、鈴木英一 |
春季応用物理学関係連合講演会 |
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08-09 |
2008年3月 |
ゲートラストプロセスで作成されたSiN膜及びeSiGeを有するMOSFETのチャネル歪評価 |
武井 宗久 |
小瀬村 大亮、小椋 厚志 |
春季応用物理学関係連合講演会 |
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08-10 |
2008年3月 |
透明ダミーゲートを有したMOSFETチャネル領域に導入された歪のUVラマン解析 |
小瀬村 大亮 |
武井 宗久、小椋 厚志、鴻野 真之、西田 辰夫、中西 敏雄 |
春季応用物理学関係連合講演会 |
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08-11 |
2008年3月 |
太陽電池用多結晶Si基板の欠陥および不純物の評価 |
今井啓太 |
田中聡志、立花福久、香川泰平、増田純一、小椋厚志、大下祥雄、新船幸二、河合秀昭、田島道夫、井上雅晶 |
春季応用物理学関係連合講演会 |
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08-12 |
2001年6月 |
Hf(NEt2)4を原料ガスとして用いたHfO2薄膜の堆積 |
大下 |
小椋、星野、鈴木、町田 |
電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会 |
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08-13 |
2008年4月 |
UV/可視ラマン分光法によるレーザー結晶化ポリシリコン薄膜の応力・結晶性の評価 |
掛村康人 |
小椋厚志、小瀬村大亮、・野口 隆 |
電子通信学会 シリコン材料・デバイス研究会 |
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08-14 |
2008年5月 |
イオンビーム照射によるタイプIV コラーゲンの生体反応性制御 |
志賀雄一朗 |
小椋厚志、戸井田浩・氏家玲奈・鈴木嘉昭 |
第57回高分子学会年次大会 |
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08-15 |
2008年6月 |
ダマシンゲートプロセスとローカル歪技術を用いた高性能 Metal/High-k gate MOSFET |
黛哲 |
山川真弥,小瀬村大亮,武井宗久,舘下八州志,塚本雅則,若林 整,大野晃計,小椋厚志,長島直樹 |
日本学術振興会第145委員会 第114回研究会 |
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08-16 |
2008年7月 |
ローカル歪技術を用いたダマシンゲートpMOSFETにおけるチャネル応力のゲートサイズ効果 |
黛哲 |
山川 真弥,小瀬村 大亮,武井 宗久,舘下 八州志,塚本 雅則,若林 整,大野 晃計,小椋 厚志,長島 直樹 |
応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究集 |
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08-17 |
2008年9月 |
薄膜SiGe層のXRDによる熱膨張係数のIn-situ測定 |
上林弘和 |
山本 有, 今井 正人, 宮村 佳児, 表 和彦, 小林 峰, 小椋 厚志 |
応用物理学会秋季学術講演会 |
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08-18 |
2008年9月 |
ゲートラストプロセスで作製された高性能pMOSFETのチャネル内歪分布測定 |
武井宗久 |
小瀬村大亮、小椋厚志 |
応用物理学会秋季学術講演会 |
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08-19 |
2008年9月 |
透明ダミーゲートを有したMOSFETにおける歪導入機構の解明 |
小瀬村大亮 |
武井宗久、永田晃基、赤松弘彬、小椋厚志, 鴻野真之、西田辰夫、中西敏雄 |
応用物理学会秋季学術講演会 |
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08-20 |
2008年9月 |
Si 拡散によるフェルミレベルピニングの抑制のためのDLC 薄膜の特性評価 |
岩下祐太 |
足立哲也、伊高健治、知京豊裕, 小椋厚志 |
応用物理学会秋季学術講演会 |
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08-21 |
2008年9月 |
Ar注入とSiN応力膜によるパターン付Si基板への歪記憶技術の検討 |
中山寛人 |
日野雅文, 永田 晃基, 吉田哲也, 小瀬村大亮 , 角嶋邦之, パールハット・アヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 小椋厚志2 服部健雄, 岩井洋 |
応用物理学会秋季学術講演会 |
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08-22 |
2008年9月 |
4探針FinFETを用いた論理Vth可変CMOSインバーターの作製 |
柳永 |
林田、松川、遠藤、大内、坂本、関川、石井、塚田、石川、山内、小椋、鈴木、昌原 |
応用物理学会秋季学術講演会 |
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08-23 |
2001年9月 |
軽元素注入ダメージへの酸素析出を利用したSOI形成 |
小椋 |
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応用物理学会秋季学術講演会 |
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08-24 |
2008年11月 |
Si・O2拡散によるフェルミレベルピニング抑制のための界面層材料の特性評価 |
岩下祐太 |
足立哲也、伊高健治、知京豊裕、小椋厚志 |
日本電子材料技術協会の秋季講演大会 |
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08-25 |
2008年11月 |
歪計測技術の現状と期待 |
小椋厚志 |
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つくば半導体コンソーシアム 半導体計測・評価技術ネットワーク第3回ワークショップ |
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09-01 |
2009年1月 |
(100)面もしくは(110)面上に作成された歪ナノワイヤトランジスタにおける相互コンダクタンスの向上評価 |
清家 綾 |
清家 綾, 土田 育新, 高井 一 , 小瀬村 大亮, 小椋 厚志, 渡邉 孝信, 大泊 巌 |
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 |
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09-02 |
2009年1月 |
歪SiナノワイヤFETsの低温測定による電気伝導特性の評価 |
杉浦 裕樹 |
清家 綾, 土田 育新, 高井 一 , 小瀬村 大亮, 小椋 厚志, 渡邉 孝信, 大泊 巌 |
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 |
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