国内学会　〜93年				2011/4/11 更新
発表年月	タイトル	講演者	共著者	講演会名	備考
1985年10月	ＡｌＮ層間絶縁膜によるＳＯＩ膜の歪低減効果	小椋	江上、木村	応用物理学会 秋季学術講演会
1985年10月	＜１００＞ｔｅｘｔｕｒｅ　ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を用いたＳＳＩＣ法の試み	江上小椋、木村		応用物理学会 秋季学術講演会
1986年4月	＜１００＞配向Ｇｅ膜の結晶粒成長	小椋	江上、木村	応用物理学会 春季応用物理学関係連合講演会
1986年9月	レ―ザアニ―ルＳＯＩの断面ＴＥＭ観察	小椋	相崎、寺尾、國尾、小山、森山、榎本	応用物理学会 秋季学術講演会
1986年9月	ＭＯ−ＡＬＥによる３インチ基板上へのＧａＡｓ高均一成長	森	小椋、吉田、寺尾	応用物理学会 秋季学術講演会
1986年9月	選択反射防止膜法ＳＯＩ形成における位置合わせ	相崎	小椋、寺尾、國尾、小山、森山、榎本	応用物理学会 秋季学術講演会
1986年9月	レ―ザアニ―ルＳＯＩの結晶面方位とＭＯＳＦＥＴ特性との関係（�T）	小山	國尾、森山、小椋、相崎、寺尾、榎本	応用物理学会 秋季学術講演会
1986年9月	レ―ザアニ―ルＳＯＩの結晶面方位とＭＯＳＦＥＴ特性との関係（�U）	國尾	小山、森山、小椋、相崎、寺尾、榎本	応用物理学会 秋季学術講演会
1987年3月	２ステップレ―ザアニ―ル法によるＳＯＩの種なし結晶方位制御	小椋	寺尾	応用物理学会 春季応用物理学関係連合講演会
1987年10月	ＳＯＩレ―ザアニ―ルの高速度ビデオ観察	小椋	寺尾	応用物理学会 秋季学術講演会
1987年11月	ガスソ―スＳｉ−ＭＢＥ	平山	辰巳、小椋、相崎	電気学会 電子材料研究会
1988年3月	ＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４ストライプ上での＜１００＞配向Ｇｅの結晶粒成長	小椋	相崎、寺尾	応用物理学会 春季応用物理学関係連合講演会
1988年10月	横方向エピタキシャル成長で形成したＳＯＩ／ＳｉＯ２界面の構造	小椋	相崎、寺尾	応用物理学会 秋季学術講演会
1989年2月	高分解能ＴＥＭによる半導体界面の評価｣	小椋		日本学術振興会 第151委員会	招待講演
1989年9月	２ステップレーザアニール法によるＳＯＩの種なし結晶方位制御（�U）	小椋		応用物理学会 秋季学術講演会
1989年9月	ＥＬＯの横／縦成長比の向上─トンネルエピタキシー─	藤本	小椋	応用物理学会 秋季学術講演会
1989年10月	ＳＯＩ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ　ｃｏｎｔｒｏｌ：ＸＴＥＭ　ｏｂｓｅｒｖａｔ ｉｏｎ　ａｎｄ　２−ｓｔｅｐ　ｌａｓｅｒ　ａｎｎｅａｌｉｎｇ	小椋		新機能素子技術シンポジウム	招待講演
1990年1月	ステップレーザアニール法によるＳＯＩの種無し結晶方位制御	小椋		応用物理学会 応用電子物性分科会
1990年9月	トンネルエピタキシー�U─超薄膜ＳＯＩの形成─	小椋	藤本	応用物理学会 秋季学術講演会
1991年10月	トンネルエピタキシー�V　─ＳＯＩ領域の大面積化─	小椋	黄	応用物理学会 秋季学術講演会
1991年10月	ＳＯＩ　ＭＯＳＦＥＴにおけるカットオフ特性の検討	黄	最上、小椋、松本	応用物理学会 秋季学術講演会
1992年3月	ＳＯＩＭＯＳＦＥＴのカットオフ特性の検討	黄	最上、小椋、寺田	電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会
1992年6月	トンネルエピタキシー	小椋		電気学会 超微細製造技術調査専門委員会	招待講演
1992年9月	Ｃｕ膜質の堆積温度依存性	古谷	小椋	応用物理学会 秋季学術講演会
1992年9月	トンネルエピタキシー�W　─ＳＯＩＭＯＳＦＥＴの試作─	黄	小椋、寺田	応用物理学会 秋季学術講演会