国内学会　16年〜17年				2020/4/21 更新
発表年月	タイトル	講演者	共著者	講演会名	備考
2016年1月22日	Ar+イオン照射によるSiナノワイヤのNi合金化プロセスの制御性向上	麻田 修平	橋本 修一郎, 武井 康平, ソン セイ, 張 旭, 徐 泰宇, 臼田 稔宏, 遠藤 清, 大場 俊輔, 富田 基裕, 今井 亮佑, 小椋 厚志, 松川 貴, 昌原 明植, 渡邉 孝信	電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回）
2016年1月22日	ZrO2/Al2O3/ZrO2スタック構造を用いたDRAMキャパシタにおけるAl2O3及びZrO2膜厚がリーク電流特性へ及ぼす影響	女屋 崇	生田目 俊秀, 澤田 朋実, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋 厚志	電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回）
2016年1月22日	CドープIn-Si-Oチャネルの酸化物TFTのバイアスストレス特性の改善	栗島 一徳	生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石 知司, 知京 豊裕, 小椋 厚志	電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回）
2016年1月22日	TMA原料とTiO2膜の酸素の自己制御型反応によるアナターゼTiO2膜への酸素欠損の形成のメカニズム	山本 逸平	生田目 俊秀, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 栗島 一徳, Thang Duy Dao, 長尾 忠昭, 知京 豊裕, 小椋 厚志, 大石 知司	電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回）
2016年1月22日	レーザーアブレーション法によるGe上ルチル型TiO2絶縁膜作製の条件最適化	鈴木 良尚	長田 貴弘, 山下 良之, 生田目 俊秀, 小椋 厚志, 知京 豊裕	電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回）
2016年3月19日	Ar+イオン照射によるSiナノワイヤのNi合金化反応の高精度制御	大場 俊輔	橋本 修⼀郎, 武井 康平, ソン セイ, 張 旭, 徐 泰宇, 麻田 修平, 臼田 稔宏, 遠藤 清, 富田 基裕, 徳武 寛紀, 今井 亮佑, 小椋 厚志, 松川 貴, 昌原 明植, 渡邉 孝信
2016年3月19日	PLイメージングを用いた強制汚染およびゲッタリングによる多結晶Si中の鉄およびニッケルの影響評価	鈴木 涼太	池野 成裕, 小島 拓人, 大下 祥雄, 小椋 厚志
2016年3月20日	PLDによるルチル型TiO2/Ge 作製条件の検	鈴木 良尚	長田 貴弘, 山下 良之, 生田目 俊秀, 小椋 厚志, 知京 豊裕
2016年3月20日	ZrO2/Al2O3/ZrO2スタック構造を用いたDRAMキャパシタにおけるリーク電流特性の改	女屋 崇	生田目 俊秀, 澤田 朋実, 栗島 ⼀徳, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋 厚志
2016年3月20日	ラマン分光法及びイメージング法による低温多結晶シリコン薄膜の結晶性分布評	横川 凌	��橋 和也, 小森 克彦, 廣田 良浩, 澤本 直美, 小椋 厚志
2016年3月20日	S/Mo比増加によるMoS2膜の低キャリア濃度化	大橋 匠	松浦 賢太朗, 石原 聖也, 日比野 祐介, 澤本 直美, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 小椋 厚志, 若林 整
2016年3月20日	液浸ラマン分光法によるSi基板上歪Si:C薄膜に印加された応力評価	山本 章太郎	武内 ⼀真, 石原 聖也, 小椋 厚志
2016年3月20日	液浸ラマン分光法による歪Ge1-xSnxのフォノン変形ポテンシャル導出	武内 ⼀真	須田 耕平, 山本 章太郎, 横川 凌, 小椋 厚志
2016年3月20日	分子動力学法および分子軌道法を用いたSiGe混晶内のフォノン再現に関する考察	富田 基裕	小椋 厚志, 渡邉 孝信
2016年3月20日	選択的イオン注入法で作製した⼀軸性歪Geの異方性応力評価	山本 章太郎	武内 ⼀真, 小瀬村 大亮, 此島 詩織, 澤野 憲太郎, 小椋 厚志
2016年3月20日	エックス線吸収微細構造（XAFS）法によるMOCVD成⻑ゲルマニウムスズ（GeSn）薄膜の局所構造評価	臼田 宏治	吉木 昌彦, 須田 耕平, 小椋 厚志, 富田 基裕
2016年3月20日	フォトルミネッセンス法による高濃度Si結晶の不純物効果の解析	中川 啓	田島 道夫, 小椋 厚志
2016年3月20日	n型CZシリコンのキャリア寿命に対する熱処理による酸素析出の影響	小島 拓人	鈴木 涼太, 小椋 厚志, 立花 福久, 大下 祥雄, 西島 英一, 正田 勲, 飯田 伸仁, 橘 昇二
2016年3月20日	太陽電池用多結晶Siにおける酸素析出初期状態のフォトルミネッセンス	樋口 史仁	宇野 匠, 田島 道夫, 小椋 厚志
2016年3月20日	結晶Si太陽電池におけるポストプラズマ処理を用いたSiNパッシベーション特性	山下 祥弘	池野 成裕, 小島 拓人, 肥山 卓矢, 小椋 厚志
2016年3月21日	先端複合技術型シリコン太陽電池に必要とされる技術	大下 祥雄	小椋 厚志, 中村 京太郎		招待講演
2016年3月21日	結晶シリコン太陽電池におけるウェーハとプロセスの相性	小椋 厚志	小島 拓人, 中村 京太郎, 田島 道夫, 大下 祥雄, 西島 英⼀, 正田 勲, 田 伸仁, 橘 昇⼆		招待講演
2016年3月22日	スパッタ堆積MoS2薄膜のXPSと光学コントラスト法による層数識	石原 聖也	日比野 祐介, 澤本 直美, 須田 耕平, 大橋 匠, 松浦 賢太郎, 町田 英明, 石川 真人, 須藤 弘, 若林 整, 小椋 厚志
2016年3月22日	酸化物薄膜トランジスタへ向けたCドープしたIn-W-Oチャネル材料の特性	栗島 ⼀徳	生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 ⼀仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石 知司, 知京 豊裕, 小椋 厚志
2016年3月25日	XPSを用いたトリメチルアルミニウムガスによるTiO2膜からの自己制御型の酸素脱離メカニズムの解析	山本 逸平	生田目 俊秀, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 栗島 一徳, Thang Duy DAO, 長尾 忠昭, 知京 豊裕, 小椋 厚志, 大石 知司	2016年春期(第158回)講演大会
2016年3月25日	TiO2/Al2O3/TiO2キャパシタにおけるPE-ALD RuO2とTiN電極の耐圧特性の比較	澤田 朋実	生田目 俊秀, Thang Duy DAO, 山本 逸平, 栗島 一徳, 女屋 崇, 大井 暁彦, 大石 知司	2016年春期(第158回)講演大会
2016年5月20日	豊田工業大学試作ラインにおける結晶シリコン太陽電池セル開発	中村 京太郎	大下 祥雄，小椋 厚志	日本学術振興会 産学協力研究委員会 第175 委員会　第13回研究会
2016/65/29	ZrO2/Al2O3/ZrO2多層を用いたDRAMキャパシタにおけるAl2O3層が電気特性に及ぼす効果	女屋 崇	生田目 俊秀, 澤田 朋実, 栗島 一徳, 澤本 直美, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋 厚志	電子情報通信学会、シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)
2016年9月14日	スパッタMoS2膜に対する有機硫黄化合物を用いた硫化アニール効果	石原 聖也	日比野 祐介, 澤本 直美, 大橋 匠, 松浦 賢太郎, 町田 英明, 石川 真人, 若林 整, 小椋 厚志	第77回応用物理学会秋季学術講演会	招待講演
2016年9月14日	(t-C4H9)2S2を用いたMoS2薄膜作製およびS/Mo比の硫化条件依存	石原 聖也	日比野 祐介, 澤本 直美, 大橋 匠, 松浦 賢太郎, 町田 英明, 石川 真人, 須藤 弘, 若林 整, 小椋 厚志	第77回応用物理学会秋季学術講演会
2016年9月15日	「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）PLイメージングによる太陽電池用シリコン結晶の評価	鈴木 涼太	小島 拓人, 木下 晃輔, 大下 祥雄, 小椋 厚志	第77回応用物理学会秋季学術講演会	招待講演
2016年9月15日	PL イメージングを用いた結晶シリコン太陽電池のスライスダメージ評価	鈴木 涼太	小島 拓人, 木下 晃輔, 河津 知之, 中村 京太郎, 大下 祥雄, 小椋 厚志	第77回応用物理学会秋季学術講演会
2016年9月15日	ZrO2/high-k/ZrO2多層絶縁膜を用いたDRAMキャパシタにおけるhigh-k層間絶縁層の役割	女屋 崇	生田目 俊秀, 澤田 朋実, 栗島 一徳, 澤本 直美, 大井 暁彦,　知京 豊裕, 小椋 厚志	第77回応用物理学会秋季学術講演会
2016年9月15日	熱処理の冷却過程の違いによる太陽電池用単結晶シリコン中の酸素析出への影響	中山 椋平	小椋 厚志, 小野 春彦	第77回応用物理学会秋季学術講演会
2016年9月15日	ラマン分光法を用いた多結晶シリコン薄膜成膜プロセス依存の評価	鈴木 貴博	横川 凌, 高橋 和也, 小森 克彦, 森本 保, 澤本 直美, 小椋 厚志	第77回応用物理学会秋季学術講演会
2016年9月15日	n型CZシリコン太陽電池のプロセス起因酸素析出に対する成長条件の影響	小島 拓人	鈴木 涼太, 中村 京太郎, 小椋 厚志, 立花 福久, 大下 祥雄, 西島 英一, 正田 勲, 飯田 伸仁, 橘 昇二	第77回応用物理学会秋季学術講演会
2016年9月15日	ラマン分光法による多結晶シリコン粒内のナノ構造評価	横川 凌	鈴木 貴博, 鈴木 涼太, 高橋 和也, 小森 克彦, 森本 保, 澤本 直美, 小椋 厚志	第77回応用物理学会秋季学術講演会
2016年9月15日	SiGe薄膜のラマンスペクトルに見られるブロードピークの起源の検討	武内 一真	小瀬村 大亮, 横川 凌, 澤本 直美, 臼田 宏治, 小椋 厚志	第77回応用物理学会秋季学術講演会
2016年9月15日	ZrO2絶縁膜/In-Si-Oチャネル界面が酸化物TFTのトランジスタ特性へ及ぼす影響	栗島 一徳	生田目 俊秀, 木津 たきお, 塚越 一仁, 女屋 崇, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋 厚志	第77回応用物理学会秋季学術講演会
2016年9月15日	電子線照射発光活性化PL法による太陽電池用CZ-Si中の低濃度炭素の定量	木内 広達	田島 道夫, 樋口 史仁, 小椋 厚志, 飯田 伸仁, 橘 昇二, 正田 勲, 西島 英一	第77回応用物理学会秋季学術講演会
2016年9月15日	電子線照射発光活性化PL法によるCZ-Si結晶中の酸素析出過程の解析	樋口 史仁	田島 道夫, 木内 広達, 小椋 厚志	第77回応用物理学会秋季学術講演会
2016年9月15日	分子動力学法および分子軌道法を用いたGeSn混晶内のフォノン再現に関する考察	富田 基裕	小椋 厚志, 渡邉 孝信	第77回応用物理学会秋季学術講演会
2016年9月16日	MOCVD法によるGe基板上でのGe-xSnxエピタキシャル成長（４）Sb原子の持つサーファクタント効果によるSn濃度増加	須田 耕平	澤本 直美, 町田 英明, 石川 真人, 須藤 弘,　大下 祥雄, 臼田 宏治, 広沢 一郎, 小椋 厚志	第77回応用物理学会秋季学術講演会
2016年9月16日	液浸ラマン分光法を用いたGe1-xSnxメサ構造における異方性2軸応力評価	村上 達海	武内 一真, 横川 凌, 須田 耕平, 石原 聖也, 小椋 厚志	第77回応用物理学会秋季学術講演会
2016年9月23日	Al2O3/ZrO2/Al2O3チャージトラップキャパシタにおける電子トラップのメカニズム	生田目 俊秀	伊藤 和博, 高橋 誠, 弓削 雅津也, 女屋 崇, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 大石 知司, 小椋 厚志, 知京 豊裕	日本金属学会　第159回講演大会
2016年12月20日	硫黄雰囲気硫化プロセスによるスパッタMoS2薄膜のキャリア密度低減	松浦 賢太朗	大橋 匠, 宗田 伊理也, 石原 聖也, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 小椋 厚志, 若林 整	物性研究所短期研究会　「原子層上の活性サイトで発現する局所機能物性」
2017年1月8日	X線回折によるGe1-xSnx薄膜の組成深さ分布非破壊測定	廣沢 一郎	須田 耕平, 澤本 直美, 町田 英明, 石川 真人, 須藤 弘, 大下 祥雄, 小椋 厚志	第30回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム
2017年1月20日	High-kシード層がHfxZr1-xO2膜の強誘電性へ及ぼす影響	女屋 崇	生田目 俊秀, 栗島 一徳, 澤本 直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋 厚志	「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第22回研究会)
2017年1月20日	酸化物薄膜トランジスタにおけるCドープIn-Si-OとIn-Si-Oチャネルの信頼性の比較	栗島 一徳	生田目 俊秀, 木津 たきお, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋 厚志	「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第22回研究会)
2017年1月20日	硬X線光電子分光法（HAXPES）によるMOCVD法形成ゲルマニウムスズ薄膜の化学結合状態解析	臼田 宏治	高石 理一郎, 吉木 昌彦 , 須田 耕平, 小椋 厚志 , 富田 充裕	「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第22回研究会)
2017年1月20日	分子動力学法を用いた2元系IV-IV族混晶半導体の格子-フォノン物性の予測と評価	富田 基裕	小椋 厚志, 渡邉 孝信	「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第22回研究会)
2017年1月20日	コンビナトリアル手法によるGe上TiO2絶縁膜のアクセプタードーピングによる影響の検討	鈴木 良尚	長田 貴弘, 山下 良之, 生田目 俊秀, 小椋 厚志, 知京 豊裕	「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第22回研究会)
2017年2月24日	分子動力学法を用いた2元系IV-IV族混晶半導体のフォノン物性の再現と予測	富田 基裕	小椋 厚志, 渡邉 孝信	電子情報通信学会 エレクトロニクス ソサイエティ シリコン材料・デバイス研究会（SDM）/電子デバイス研究会（ED）
2017年3月1日	電子線照射光活性化PL法によるCZ-Sい結晶中の酸素析出過程の	樋口 史仁	田島 道夫, 木内 広達, 小椋 厚志	応用物理学会シリコンテクノロジー分科会　第201回研究集会
2017年3月14日	液浸ラマン分光法を用いたGe1‐xSnxメサ構造における異方性2軸応力のパターンサイズ依存性評価	村上 達海	武内 一真, 横川 凌, 須田 耕平, 石原 聖也, 小椋 厚志	第６4回応用物理学会春季学術講演会
2017年3月14日	発光活性化後の液体窒素温度フォトルミネッセンス測定によるSi結晶中炭素不純物の定量	田島 道夫	木内 広達, 樋口 史仁, 小椋 厚志	第６4回応用物理学会春季学術講演会
2017年3月14日	電子線照射発光活性化液体窒素温度PL法による太陽電池用CZ-Si中の低炭素濃度の定量	木内 広達	田島 道夫, 樋口 史仁, 石川 陽一郎, 小椋 厚志	第６４回応用物理学会春季学術講演会
2017年3月15日	室温での加水分解反応によるCu2O膜形成	大山 翔平	渡邉 匡人, 肥山 卓矢, 横川 凌, 小椋 厚志	第６４回応用物理学会春季学術講演会
2017年3月15日	新規モリブデン原料i-Pr2DADMo(CO)3を用いたMoS2のMOCVD	石原 聖也	日比野 祐介, 澤本 直美, 町田 英明, 大下 祥雄, 若林 整, 小椋 厚志	第６４回応用物理学会春季学術講演会
2017年3月15日	分子動力学法を用いたGeSnおよびSiSn混晶内のフォノン物性予測と評価	富田 基裕	小椋 厚志, 渡邉 孝信	第６４回応用物理学会春季学術講演会
2017年3月15日	同時スパッタ法 と(t -C4H9)2S2による硫化で作製したMo1‐xWxS2の評価	日比野 祐介	石原 聖也, 澤本 直美, 大橋 匠, 松浦 賢太朗, 町田 英明, 須藤 弘, 若林 整, 小椋 厚志	第６４回応用物理学会春季学術講演会
2017年3月15日	同時スパッタ法とin‐situ熱処理で作製した MoS2(1‐x)Te2xの評価	日比野 祐介	石原 聖也, 澤本 直美, 大橋 匠, 松浦 賢太朗, 町田 英明, 須藤 弘, 若林 整, 小椋 厚志	第６４回応用物理学会春季学術講演会
2017年3月15日	High Performance mc-Si中の軽元素分布	中島 佑実	中山 椋平, 沓掛 健太朗, 小椋 厚志, 小野 春彦	第６４回応用物理学会春季学術講演会
2017年3月15日	TEMによる太陽電池用n型Cz-Si中の酸素析出挙動の評価 −炭素濃度と成長条件の影響	小島 拓人	木下 晃輔, 鈴木 涼太, 中村 京太郎, 小椋 厚志, 大下 祥雄, 正田 勲, 橘 昇二	第６４回応用物理学会春季学術講演会
2017年3月15日	赤外線トモグラフィーによる太陽電池用ｎ型Cz-Si中の酸素析出挙動の評価 −炭素濃度と成長条 件の影響	木下 晃輔	小島 拓人, 鈴木 涼太, 小林 弘人, 大下 祥雄, 正田 勲, 橘 昇二, 小椋 厚志	第６４回応用物理学会春季学術講演会
2017年3月15日	硬X線光電子分光法（HAXPES）によるゲルマニウムスズ薄膜の深さ方向化学結合状態評価（II）	臼田 宏治	高石 理一郎, 吉木 昌彦, 須田 耕平, 小椋 厚志, 富田 充裕	第６４回応用物理学会春季学術講演会
2017年3月16日	ホールトラップがCドープIn-Si-Oのトランジスタ特性へ及ぼす影響	栗島 一徳	生田目 俊秀, 木津 たきお, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋 厚志	第６４回応用物理学会春季学術講演会
2017年3月16日	スパッタ堆積MoS2薄膜の表面粗さスケーリング解析による配向性評価	石原 聖也	大野 文太, 日比野 祐介, 澤本 直美, 大橋 匠, 松浦 賢太朗, 若林 整,小椋 厚志	第６４回応用物理学会春季学術講演会
2017年3月16日	ラマン分光法を用いたトレンチ近傍の異方性2軸応力評価	鈴木 貴博	横川 凌, 大麻 浩平, 西脇 達也, 浜本 毅司, 小椋 厚志	第６４回応用物理学会春季学術講演会
2017年3月17日	太陽電池用シリコン結晶の現状と高効率化への課題	小椋 厚志	小島拓人, 中村京太郎,  田島道夫,  大下祥雄	第29回シリサイド系半導体研究会
2017年3月17日	水浸ラマン分光法による酸化膜被覆型Siナノワイヤの異方性二軸応力評価	横川 凌	鈴木 貴博, 橋本 修一郎, 麻田 修平, 富田 基裕, 渡邉 孝信, 小椋 厚志	第６４回応用物理学会春季学術講演会
2017年3月17日	ALD-ZrO2シード層によるHfxZr1‐xO2膜の強誘電性の改良	女屋 崇	生田目 俊秀, 栗島 一徳, 澤本 直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋 厚志	第６４回応用物理学会春季学術講演会
2017年3月17日	ALD-ZrO2シード層によるHfxZr1‐xO2膜の強誘電性の改良	肥山 卓矢	小島 拓人, 小椋 厚志	第６４回応用物理学会春季学術講演会
2017年3月17日	超高周波インピーダンス解析による高漏れ性パッシベーション膜の評価	小島 拓人	肥山 卓矢, 中村 京太郎, 小椋 厚志, 大下 祥雄	第６４回応用物理学会春季学術講演会
2017年7月21日	p型結晶シリコン太陽電池の電極用ペースト中のNaがPIDに及ぼす影響	城内 紗千子	田中 亜樹, 村松 和郎, 中村 京太郎, 小椋 厚志, 大下 祥雄, 増田 淳	第14回　「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム
2017年10月5日	igh Performance mc-Si中の酸素析出分布	中山 椋平	小島 拓人, 小椋 厚志, 沓掛 健太朗
2017年10月5日	太陽電池用ｎ型Cz-Si中の炭素濃度が熱処理後の酸素析出に与える影響−赤外線トモグラフィーによる評価	木下 晃輔	小島 拓人, 大下 祥雄, 小椋 厚志
2017年10月5日	超高周波インピーダンス解析による高漏れ性パッシベーション膜の評価(2)	小島 拓人	肥山 卓矢, 西原 達平, 中村 京太郎, 小椋 厚志, 大下 祥雄
2017年10月5日	太陽電池用ファイアスルー制御電極ペーストを用いた電極/シリコン界面の化学結合評価	肥山 卓矢	小島 拓人, 木下 晃輔, 西原 達平, 大西 康平, 村松 和郎, 田中 亜樹, 大下 祥雄, 小椋 厚志
2017年10月6日	電子線照射発光活性化液体窒素温度PL法によるP添加n型CZ-Si結晶の炭素定量	石川 陽一郎	田島 道夫, 木内 広達, 小椋 厚志, 宮村 佳児, 原田 博文, 柿本 浩一
2017年10月6日	DCバイアス印加による高温スパッタMoS2膜の硫黄欠損抑制	石原 聖也	日比野 祐介, 澤本 直美, 大橋 匠, 松浦 賢太朗, 若林 整, 小椋 厚志
2017年10月6日	High-k/In1-xSixO1-yCyチャネル界面がトランジスタ特性に及ぼす影響	栗島 一徳	生田目 俊秀, 女屋 崇, 木津 たきお, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋 厚志
2017年10月6日	新規Te原料(i-C3H7)2Teを用いたTe化によるMoTe2作製	日比野 祐介	石原 聖也, 澤本 直美, 大橋 匠, 松浦 賢太郎, 町田 英明, 石川 真人, 須藤 弘, 若林 整, 小椋 厚志
2017年10月7日	水浸ラマン分光法によるAr+イオン照射を施した酸化膜被覆型Si ナノワイヤの異方性二軸応力評価	横川 凌	橋本 修一郎, 富田 基裕, 渡邉 孝信, 小椋 厚志
2017年10月7日	サーファクタント効果を利用したMOCVD成長GeSn薄膜のHAXPES評価	臼田 宏治	吉木 昌彦, 須田 耕平, 小椋 厚志, 富田 充裕
2017年10月7日	ラマン分光法による多結晶シリコン粒内のナノ結晶構造評価(�U)	鈴木 貴博	横川 凌, 三野 伸晃, 高橋 和也, 小森 克彦, 森本 保, 澤本 直美, 小椋 厚志
2017年10月7日	Si基板上GaN成長のための反応性スパッタ法を用いたAlNバッファー層作製条件の検討	立島 滉大	長田 貴弘, 石橋 啓次, 高橋 健一郎, 鈴木 摂, 小椋 厚志, 知京 豊裕
2017年10月7日	スパッタ堆積MoS2膜の下地材料依存性	大橋 匠	宗田 伊理也, 石原 聖也, 日比野 祐介, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 小椋 厚志, 若林 整
2017年10月7日	低温分解Sn原料Tetra (isopropyl) tinを用いたMOCVD法によるGe1-xSnx膜成長	村上 達海	須田 耕平, 吉岡 和俊, 高橋 祐樹, 小孫 翔太, 澤本 直美, 町田 英明, 大下 祥雄, 小椋 厚志
2017年10月7日	ナノ結晶ZrO2シード層を用いた厚膜HfxZr1-xO2の強誘電性	女屋 崇	生田目 俊秀, 澤本 直美, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋 厚志
2017年10月8日	カーボンドープシリコンにおけるフォノン変形ポテンシャルの導出	吉岡 和俊	村上 達海, 小孫 翔大, 横川 凌, 澤本 直美, 小椋 厚志
2017年10月8日	バルクSiGeおよび液浸ラマン分光法を用いたSiGeフォノン変形ポテンシャルの導出	横川 凌	武内 一真, 村上 達海, 臼田 宏治, 米永 一郎, 小椋 厚志
2017年10月8日	放射光X線回折を用いたGe1-xSnxメサ構造における異方性歪評価	村上 達海	須田 耕平, 高橋 祐樹, 吉岡 和俊, 日比野 祐介, 横川 凌, 広沢 一郎, 小椋 厚志
2017年9月22日	X線の遠まわり反射によるひずみ半導体の格子ひずみ評価	宮下 遥香	天貝 早希, 秋本 晃一, 村上 達海, 小椋 厚志	日本物理学会 2017年秋季大会
2017年10月26日	ZrO2シード層がHfxZr1-xO2薄膜の強誘電性へ及ぼす効果	女屋 崇	生田目 俊秀, 澤本 直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋 厚志	電子情報通信学会　シリコン材料・デバイス研究会（SDM）
2017年11月2日	GaNテンプレート基板のための反応性スパッタ法を用いたAlNバッファー層作製条件の検討	立島 滉大	長田 貴弘, 石橋 啓次, 高橋 健一郎, 鈴木 摂, 小椋 厚志, 知京 豊裕	第54回日本電子材料技術協会秋期講演大会
2017年11月21日	三次元スケーリングによるIGBTのVCEsat低減の実験的検証	筒井 一生	角嶋 邦之, 星井 拓也, 中島　昭, 西澤 伸一, 若林　整, 宗田 伊理也, 佐藤 克己, 末代 知子, 齋藤　渉,  更屋 拓哉, 伊藤 一夫, 福井 宗利, 鈴木 慎一, 小林 正治, 高倉 俊彦, 平本 俊郎, 小椋 厚志, 沼沢 陽一郎, 大村一郎, 大橋 弘通, 岩井 洋	電気学会　電子デバイス半導体電力変換 合同研究会