| 国内学会 00〜03年 | 2011/4/11 更新 | ||||
| 発表年月 | タイトル | 講演者 | 共著者 | 講演会名 | 備考 |
| 2000年3月 | SIMOXウェハーにおける高温熱処理過程のPL評価(U) | 滝口 | 小椋、溝口、井深、田島 | 応用物理学会 春季応用物理学関係連合講演会 | |
| 2000年6月 | 紫外光励起フォトルミネセンスによるSOIウエハーの評価 | 井深 | 田島、小椋 | 日本学術振興会145委員会研究会 | 招待講演 |
| 2000年9月 | 低速陽電子によるSOIの評価(T) −SIMOXプロセス | 上殿 | 谷川、小椋、小野、鈴木、大平、三角 | 応用物理学会秋季学術講演会 | |
| 2000年9月 | MOCVDOCVD法によるTaN膜の堆積 | 星野 | 日色、町田、小椋、大下 | 応用物理学会秋季学術講演会 | |
| 2000年9月 | 励起光の侵入長を変化させたPLによるSOIウェハーの評価 | 滝口 | 小椋、熊藪、井深、田島 | 応用物理学会秋季学術講演会 | |
| 2000年9月 | 低速陽電子によるSOIの評価(U) −基板間比較 | 小椋 | 上殿、谷川 | 応用物理学会秋季学術講演会 | |
| 2001年3月 | X線回折法によるSIMOXのBOX形成過程野評価 | 細井 | 福田、志村、梅野、小椋 | 応用物理学会 春季応用物理学関係連合講演会 | |
| 2001年3月 | MOCVD法によるHfO2膜の堆積(T) | 鈴木 | 星野、町田、小椋、大下 | 応用物理学会 春季応用物理学関係連合講演会 | |
| 2001年3月 | MOCVD法によるHfO2膜の堆積(U) | 星野 | 鈴木、町田、忍田、小椋、大下 | 応用物理学会 春季応用物理学関係連合講演会 | |
| 2001年4月 | PLおよび陽電子消滅による欠陥評価 | 小椋 | 田島、上殿 | 応用物理学会結晶工学分科会第113回研究会 | 招待講演 |
| 2001年6月 | MOCVD法によるHfO2膜の堆積 | 星野 | 鈴木、町田、小椋、大下 | 半導体・集積回路技術シンポジュウム | |
| 2001年6月 | Hf(NEt2)4を原料ガスとして用いたHfO2薄膜の堆積 | 大下 | 小椋、星野、鈴木、町田 | 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会 | |
| 2001年9月 | 軽元素注入ダメージへの酸素析出を利用したSOI形成 | 小椋 | 応用物理学会秋季学術講演会 | ||
| 2001年9月 | MOCVDによるHfO2膜の堆積 −シリケート成膜 | 町田 | 石川、星野、小椋、大下 | 応用物理学会秋季学術講演会 | |
| 2001年9月 | X線回折法によるnovel SIMOXのBOX層の構造評価 | 志村 | 細井、福田、梅野、小椋 | 応用物理学会秋季学術講演会 | |
| 2001年10月 | 陽電子消滅によるSOI(Si-on-insulator)基板の評価 | 上殿 | 小椋、Chen、大平、鈴木、三角 | 京都大学原子炉実験所専門研究会「陽電子ビームの形成と理工学への応用」 | |
| 2002年3月 | 低速陽電子ビームによるSOIウエハーの欠陥と水素の相互作用の研究 | 上殿 | Chen、小椋、大平、鈴木、三角 | 応用物理学会 春季応用物理学関係連合講演会 | |
| 2002年9月 | 軽元素注入法による部分SOI/SONの形成 | 小椋 | 応用物理学会秋季学術講演会 | ||
| 2002年9月 | Hf1-xSixO2成膜のためのCVD用Si原料 | 加田 | 石川、町田、小椋、大下 | 応用物理学会秋季学術講演会 | |
| 2002年 | 有機金属原料を用いたハフニウムシリケート薄膜CVD | 大下 | 石川、加田、町田、小椋 | 化学化工業会シンポジウム2002 | |
| 2002年9月 | せり上げ素子分離を用いたボディーコンタクト構造をもつ薄膜SOI−MOSFET | 山上 | 黄、若林、李、斎藤、小椋、成広、新井、武村、山本、落合、最上 | 応用物理学会秋季学術講演会 | |
| 2003年3月 | 「基板浮遊効果を抑制したゲート長60nm薄膜SOI-MOSFET | 山上 | 黄、若林、李、斎藤、小椋、成広、新井、武村、竹内、落合、最上 | 応用物理学会 春季応用物理学関係連合講演会 | |
| 2003年3月 | レーザーコンフォーカル検査システムを用いた市販超薄膜SOI基板の評価 | 小椋 | 岡林 | 春季応用物理学関係連合講演会 | |
| 2003年 | LSI開発の現状と今後の課題 | 小椋 | Spring-8 講習会 | 招待講演 | |
| 2003年5月 | 先端デバイス開発動向とSOI基板への期待 | 小椋 | 結晶成長学会 バルク分科会研究会 | 招待講演 | |
| 2003年 | 市販SOI基板中欠陥の分布および構造解析 | 小椋 | 岡林 | 日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145委員会 第 97回研究会 | |
| 2003年8月 | 低速陽電子ビームによるpoly-Si/HfSiOx/Si構造の空孔型欠陥の検出 | 上殿 | 服部、小椋、工藤、西川、大平、鈴木、三角 | 応用物理学会秋季学術講演会 | |
| 2003年8月 | MOCVD法によるNiSi(T)―原料 | 加田 | 石川、大平、町田、小椋、大下 | 応用物理学会秋季学術講演会 | |
| 2003年8月 | MOCVD法によるNiSi(U)―成膜 | 石川 | 加田、町田、小椋、大下 | 応用物理学会秋季学術講演会 | |
| 2003年8月 | Nonuniformity of SOI Wafers Manifested by Photoluminescence and Lifetime Mapping | 李 | 田島、住江、橋爪、小椋 | 応用物理学会秋季学術講演会 | |
| 2003年12月 | 陽電子消滅による金属酸化物の欠陥の解析 | 上殿 | 服部、小椋、工藤、西川、大平、鈴木、三角 | 第3回インテリジェント・ナノプロセス研究会 | |
| 2003年12月 | 低速陽電子ビームによるHigh-kをゲート絶縁膜として用いたMOSの評価 | 上殿 | 服部、小椋、工藤、西川、大平、鈴木、三角 | 京都大学原子炉実験所専門研究会 | |